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并联功率端口不均流对IGBT模块热特性的影响

发布日期:2022-05-05  浏览次数:155  下载次数:161   DOI字段:10.19457/j.1001-2095.dqcd22609

      摘要:针对大功率IGBT模块在短路极端运行条件下的可靠性问题,将器件的功率端口不均流现象和由此产生的动态结温变化进行综合分析。首先,通过实验对英飞凌某型3 300 V/1 500 V IGBT 模块在短路条件下的并联端口均流特性进行测试,进而得到不同功率端口的功率损耗。其次,采用有限元法构建IGBT模块的热模型,进一步研究功率端口不均流对IGBT芯片瞬态热特性的影响。研究结果表明,短路条件下的端口电流差异可达1 500 A,其导致IGBT结温相差11 ℃左右,进而增加器件发生瞬时热失效的风险。研究结论可为功率半导体器件的优化设计提供指导。


      关键词:IGBT 模块;短路;并联均流;结温


      中图分类号:TN322     文献标识码:A 





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