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SiC MOSFET及Si IGBT串联短路动态特性研究

发布日期:2022-11-04  浏览次数:393  下载次数:289   DOI字段:10.19457/j.1001-2095.dqcd23827

      摘要:针对因器件击穿、控制失效等问题导致的串联短路现象,基于半桥结构分析了SiC MOSFET及SiIGBT不同的串联短路动态分压特性。同时,结合开关过程中电压、电流的变化分析串联短路分压原理,并在输出特性曲线上标注器件的分压路径。实验结果表明,驱动电压、负载电流、母线电压等外部驱动参数对两种器件串联短路分压特性的影响不同,其中反向负载电流改变了串联短路的分压趋势且对串联短路特性影响最大。充分认识器件的串联短路机理对改进短路保护具有现实意义。


      关键词:碳化硅MOSFET;硅IGBT;串联短路


      中图分类号:TN386     文献标识码:A 

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