服务号

订阅号

稿件详情

当前位置:首页 >稿件详情

SiC MOSFET在双向无线充电应用中的开关性能及效率优化研究

发布日期:2023-01-17  浏览次数:118  下载次数:112   DOI字段:10.19457/j.1001-2095.dqcd24494

      摘要:SiC MOSFET器件具备开关频率高、损耗小、耐高温等特性,应用于无线充电中可以显著提升其功率密度及效率。但在无线充电变换器的控制中很容易出现硬开通、硬关断的情况,这会产生额外的开关损耗。同时,在电磁环境和寄生参数的影响下,开关管门级容易因电压过冲、振荡导致加速老化或损坏。基于上述原因对双向无线充电系统中的开关特性、开关损耗及影响开关可靠性的因素进行分析及仿真验证,最后通过对搭建的双向无线系统样机在满功率和半功率点进行不同驱动参数的对比实验,得出了驱动参数对系统传输效率及门级波形的变化趋势,对双向无线充电系统中SiC MOSFET的应用和效率优化具有一定参考依据。


      关键词:碳化硅场效应器件;无线电能传输;过冲;振荡


      中图分类号:TM386     文献标识码:A 


返回顶部

天津电气科学研究院有限公司 版权所有 津ICP备07001287号 Powered by Handynasty

网上违法和不良信息举报电话(河东区):022-84376127 | 举报邮箱:wangzheng@tried.com.cn